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Si1426DH
Vishay Siliconix
N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V) R DS(on) ( Ω )
I D (A)
FEATURES
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
30
0.075 at V GS = 10 V
0.115 at V GS = 4.5 V
3.6
2.9
? TrenchFET ? Power MOSFET
? Thermally Enhanced SC-70 Package
? PWM Optimized
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
? Boost Converter in Portable Devices
- Low Gate Charge (3 nC)
? Low Current Synchronous Rectifier
SOT-363
SC-70 (6-LEADS)
D
1
6
D
Marking Code
D
2
5
D
AC
XX
Lot Traceability
G
3
4
S
and Date Code
Part # Code
Top View
Ordering Information: Si1426DH-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si1426DH-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
5s
Steady State
30
± 20
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) a
Pulsed Drain Current
T A = 25 °C
T A = 85 °C
I D
I DM
3.6
2.6
10
2.8
2.1
A
Continuous Diode Current (Diode Conduction) a
I S
1.3
0.8
Maximum Power Dissipation a
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 85 °C
P D
T J , T stg
1.6
0.8
- 55 to 150
1.0
0.5
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 5s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
60
100
34
80
125
45
°C/W
Note:
a. Surface mounted on 1" x 1" FR4 board.
Document Number: 71805
S10-0935-Rev. B, 19-Apr-10
www.vishay.com
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